疆亘观察|跨越时代 —— 半导体潜力无限
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发布时间：2024-10-23 21:37
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时间：2024-10-26 23:39
半导体自二战以来的演变推动了科技飞跃，当前，中美竞争焦点之一便是这一关键领域。从第一代以硅和锗为核心的半导体，到超宽禁带半导体，每一代都在挑战和机遇中前行。，以氮化铝、氧化镓和金刚石为代表，正逐步走向市场，尽管面临成本和大面积制备的挑战，但其在5G通信、人工智能、汽车电子和云计算等领域的广泛应用前景广阔，为投资者揭示了新的机遇。
从硅和锗的初代，到砷化镓和磷化铟的二代，再到宽禁带半导体的三代，每一代都有其独特优势和局限。半导体以超宽带隙和高击穿电场为核心，特别适合于高电压和高性能应用，如AIN在电力电子中展现优势，GaN在高频通信中大显身手，而金刚石的硬度和稳定性使其在极端环境中脱颖而出。
然而，半导体也面临着诸多挑战，如Ga2O3的导热性问题和金刚石的尺寸与成本问题。技术突破和成本降低是推动这些材料商业化的关键。虽然面临禁止出口的外部压力，我国在AIN和相关材料领域已取得进展，但仍需努力实现自主可控。
未来，4G通信的高速需求、人工智能的高效计算、汽车电子的可靠性提升以及云计算的数据处理效率，都预示着半导体的广阔应用空间。随着技术的成熟，这一领域将不断释放其潜力，引领科技进步的新浪潮。
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